Abstrakt

Elektromagnetische Gerätecharakterisierung eines GaAs-MESFET-Transistors

Amri Houda und Zaabat Mourad

In diesem Artikel wird eine elektromagnetische Studie eines MESFET-Transistors auf Basis einer iterativen Methode vorgestellt. Diese Methode stellt die Beziehung zwischen den einfallenden und reflektierten Wellen der planaren Schaltkreise her. Die WCIP-Methode wurde aus dem schnellen Modaltransformationsalgorithmus entwickelt.

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