Abstrakt

Auswirkungen des ternären Mischkristalls und der Schichtdicke auf die IV-Ausgangseigenschaften von Al 2 O 3 /AlGaN/GaN-MOSHEMTs

Zhou XJ, Xing Y, Gu Z und Meng GQQG*

Die Schwellenspannungen und Ausgangsströme in Al2O3 _{/ AlGaN} /GaN-MOSHEMTs werden mit dem Ladungssteuerungsmodell unter der Totalverarmungsnäherung berechnet, wobei die festen Ladungen an der Al2O3/AlGaN-Grenzfläche und die Polarisation in jeder Schicht berücksichtigt werden _{. Die} Ergebnisse zeigen, dass die Schwellenspannungen negativ driften, wenn der Al-Anteil in AlGaN und die Dicke jeder Schicht zunehmen. Es wurde auch festgestellt, dass eine Erhöhung des Al-Anteils und der Al2O3 - _{Schichtdicke zu} einer deutlichen Stromerhöhung führt, während eine Erhöhung der AlGaN-Barrieredicke nur geringe Auswirkungen hat. Diese Ergebnisse deuten darauf hin , dass die Leistung von MOSHEMT-Geräten durch den ternären Mischkristall und die Größeneffekte verbessert werden kann.