Abstrakt

Mobilität von Oberflächenelektronen auf flüssigen Heliumfilmen in mikrostrukturierter Geometrie

Mohamed AG Ashari

Der vorliegende Beitrag befasst sich mit der Untersuchung von Oberflächenzustandselektronen (SSE) auf flüssigen Heliumfilmen in begrenzter Geometrie unter Verwendung geeigneter Substratstrukturen, die auf einem Siliziumwafer mikrogefertigt sind und Feldeffekttransistoren (sogenannten Helium-FETs) ähneln. Die Probe weist Source- und Drain-Bereiche auf, die durch eine Gate-Struktur getrennt sind, die aus zwei Goldelektroden mit einem schmalen Spalt (Kanal) besteht, durch den der Elektronentransport stattfindet. Nach der Entwicklung eines neuen Modells der Anzahl der gespeicherten Elektronen als Funktion der Gate-Barriere wird es einfacher, die Mobilität von SSE zu untersuchen. Die experimentellen Ergebnisse zeigen eine angemessene Übereinstimmung mit der Literatur.